ساخت غشای اسمز مستقیم لایه نشانی شده با گرافن و بررسی خصوصیات ضدگرفتگی آن با اعمال میدان الکتریکی / دانشجو : مسعود راستگار فرج زاده

آگهی دفاع از رساله دکتری
پردیس علـوم
دانشکده شیمی


عنوان: ساخت غشای اسمز مستقیم لایه نشانی شده با گرافن و بررسی خصوصیات ضدگرفتگی آن با اعمال میدان الکتریکی

دانشجو : مسعود راستگار فرج زاده
رشته:  شیمی کاربردی

استاد راهنما : دکتر علیرضا شاکری

زمان: ساعت 13:00 روز سه شنبه 25/10/1397
مکان : دانشکده شیمی، اتاق 123

چکیده:

امروزه، فرآیند اسمز مستقیم (FO) به دلیل داشتن قابلیت های فراوان در نمک زدایی از آب دریا، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در مقایسه با سایر روش های غشایی مبتنی بر فشار همچون اسمز معکوس (RO) و نانوفیلتراسیون (NF)، امکان کاهش مصرف انرژی و گرفتگی ملایم تر غشا به دلیل عدم استفاده از فشار هیدرولیکی در فرآیند اسمز مستقیم وجود دارد. در روش FO، مولکول های آب از طریق یک غشای نیمه تراوا از سمت محلولی با فشار اسمزی پایین (محلول خوراک) به سمت یک محلول دیگر با فشار اسمزی بالا (محلول کشنده) کشیده می شود. در این رساله، از گرافن (اکسید گرافن احیا شده) با ساختار دوبعدی صفحه ای شکل به عنوان لایه فعال در ساخت غشای FO استفاده شده است. گرافن دارای خاصیت رسانایی الکتریکی هست که از آن می توان برای انجام واکنش های الکتروشیمیایی جهت کاهش گرفتگی در سطح بهره برد. 



 

آدرس کوتاه :